Die Ausweitung der Leistungselektronik auf neue Bereiche des Energiemanagements und erneuerbare Energie treibt den Bedarf an leistungsstärkeren und effizienteren Halbleitern voran und erhöht gleichzeitig die Nachfrage nach mehr Verlässlichkeit und niedrigeren Kosten. Die neuen IGCT-Geräte der Generation 3 oder HPT+ „High Power Technology“ von Hitachi Energy wurden speziell für die Herausforderungen dieser wichtigen Anwendungen entwickelt. Wir haben die Gate-Kontaktinfrastruktur für die nächste Generation verbessert, indem wir sie in die Geräteperipherie verlagert haben, wodurch die Gate-Schaltkreisimpedanz reduziert wurde, um die Schaltleistung zu verbessern.
Der IGCT ist ein Halbleiterschalter mit geringem Einschaltverlust, wodurch er sich ideal für Wechselrichter mit mittlerer bis höchster Ausgangsleistung eignet. Sie maximieren die Leistung und Energieeffizienz und ermöglichen es Ingenieuren, ein wettbewerbsfähiges Produkt für diese Anwendungen zu liefern. Das jüngste Mitglied unserer IGCT-Familie weist außerdem eine um bis zu 30 Prozent höhere Abschaltfähigkeit auf als frühere Generationen.