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Conférence virtuelle complète de Nagoya

Le 33e Symposium international sur les dispositifs à semi-conducteurs électriques et les CI (ISPSD) aura lieu entre le 30 mai et le 3 juin 2021 sous forme de CONFÉRENCE ENTIÈREMENT VIRTUELLE.
L’ISPSD comprend des discussions techniques sur les dispositifs à semi-conducteurs d’alimentation et les circuits intégrés, leurs technologies hybrides et leurs applications.

Contributions d’Hitachi Énergie

Date/heure (HEC)

Flux

Papier

Auteur/s

Mercredi 02/06/2021
De 5 h 35 à 6 h

Séance 6 : Robustesse et fiabilité de l’appareil SiC

Étude sur le seuil de stabilité de la tension des MOSFETS de puissance SiC à haute tension de 1,2 kV dans des conditions de commutation répétitive difficiles

Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Nick Schneider, Gianpaolo Romano, Yulieth Arango, Lars Knoll

Hitachi Énergie, Switzerland

Du 31/05/2021 au 03/06/2021
De 3 h à 8 h 50

Séances d’affichage - Dispositifs et technologie SiC

Hystérésis de la tension de seuil transitoire dépendante de la température dans l’alimentation SiC des MOSFET et implications pour les événements de court-circuit

Elena Mengotti1, Enea Bianda1, David Baumann1, Renos Papamichalis1, Andrei Mihaila2, Stephan Wirths2

1) ABB Switzerland Ltd.; 2) Hitachi Énergie Ltd., Switzerland

Du 31/05/2021 au 03/06/2021
De 3 h à 8 h 50

Séances d’affichage - Dispositifs et technologie SiC

Évaluation de la capacité de courant de surtension des MOSFET SiC de 6,5 kV avec dispositions de cellules 3D

Kaloyan Naydenov2, Nazareno Donato2, Florin Udrea2, Andrei Mihaila1, Gianpaolo Romano1, Stephan Wirths1, Lars Knoll1

1) Hitachi Énergie Ltd., Switzerland; 2) Université de Cambridge, Royaume-Uni

Du 31/05/2021 au 03/06/2021
De 3 h à 8 h 50

Séances d’affichage - Dispositifs et technologie SiC

Comportement dynamique robuste des MOSFET SiC Power de 3,3 kV avec diélectrique de gâchette High-K

Gianpaolo Romano, Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Yulieth Arango, Antoni Ruiz, Lars Knoll

Hitachi Énergie, CH

Conférence virtuelle ISPSD 2021