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Virtual Conference ISPSD 2020

Retransmissions et expositions quotidiennes en direct

 

Le 32e symposium international de l’IEEE sur les dispositifs et circuits intégrés à semi-conducteurs de puissance (ISPSD) s’est déroulé virtuellement du 13 au 18 septembre 2020. La conférence combinait des retransmissions en direct, des expositions et des questions et réponses quotidiennes. Les présentations enregistrées seront disponibles sur le site Web de la conférence du 28 septembre au 30 octobre 2020. Toutes les questions resteront visibles et la fonction de discussion ainsi que la messagerie du réseau resteront actives pendant ce temps. 

ISPSD 2020 – Hitachi ABB Réseaux électriques remporte le prix de la meilleure affiche

Hitachi ABB Réseaux électriques, Semiconductors a de nouveau participé à l’ISPSD, mais pour la première fois, cet événement s’est déroulé virtuellement. Nous avons contribué à deux présentations orales et six affiches portant sur les dispositifs Si et SiC à haute tension, et nous avons été heureux des réactions positives que nous avons reçues. Au total, l’ISPSD 2020 a donné lieu à 44 présentations orales, 94 présentations par affiches, et près de 600 participants du monde entier se sont inscrits. Les séances parallèles de l’événement en direct faisant en sorte qu’il était impossible d’assister à toutes les présentations, les présentations enregistrées seront disponibles sur le site Web de la conférence jusqu’au 30 octobre 2020.

Hitachi ABB Réseaux électriques, Semiconductors a été honorée de remporter le prix de la meilleure affiche lors de l’ISPSD 2020 pour son document intitulé « Vertical Power SiC MOSFETs with High-k Gate Dielectrics and Superior Threshold Voltage Stability » par Stephan Wirths, Yulieth Arango, Andrei Mihaila, Marco Bellini, Gianpaolo Romano, Giovanni Alfieri, Manuel Belanche, Lars Knoll, d’Hitachi ABB Réseaux électriques, et Enea Bianda, Elena Mengotti, d’ABB Switzerland Ltd. Nous sommes fiers que notre technologie de semi-conducteurs de puissance soit à l’avant-garde des solutions SiC à haute tension.

Depuis la première réunion qui s’est tenue à Tokyo en 1988, cet événement est désormais largement considéré comme le plus important forum technique de l’IEEE pour présenter les développements en matière de dispositifs semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés de puissance. Il s’agissait cette année d’un lieu virtuel réunissant les plus grands experts et les principales entreprises du secteur, et où les participants du monde entier ont pu se rencontrer pour échanger des informations et des opinions sur l’avenir des semi-conducteurs de puissance.