La expansión de la electrónica de potencia en nuevos campos de gestión de energía y fuentes de energía renovable está impulsando la necesidad de semiconductores de mayor rendimiento y mayor eficacia, a la vez que aumenta la demanda de mayor fiabilidad y menor costo. Los nuevos dispositivos IGCT de generación 3 o HPT+ “tecnología de alta potencia” de Hitachi Energy están diseñados específicamente para enfrentar los desafíos de estas aplicaciones vitales. Mejoramos la infraestructura de contacto de la puerta para la próxima generación al moverla a la periferia del dispositivo, reduciendo la impedancia del circuito de la puerta para mejorar el rendimiento de conmutación.
El IGCT es un interruptor semiconductor con baja pérdida en estado, lo que lo hace ideal para inversores que van desde niveles de potencia de salida medios hasta los más altos. Maximizan la producción de energía y la eficiencia energética, lo que permite a los ingenieros ofrecer un producto competitivo para estas aplicaciones. El miembro más reciente de nuestra familia de IGCT también exhibe una capacidad de apagado hasta un 30 por ciento más alta que las generaciones anteriores.