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Vollständige virtuelle Konferenz in Nagoya

Das 33. Internationale Symposium über Leistungshalbleiter-Bauelemente und -ICs (ISPSD) findet vom 30. Mai bis 3. Juni 2021 als VOLLSTÄNDIG VIRTUELLE KONFERENZ statt.
Die ISPSD umfasst technische Diskussionen über Leistungshalbleiter-Bauelemente und integrierte Schaltungen, ihre Hybridtechnologien und Anwendungen.

Beiträge von Hitachi Energy

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Mittwoch, 02.06.2021
05:35–06:00

Sitzung 6: Robustheit & Zuverlässigkeit von SiC-Bauelementen

Studie zur Schwellenspannungsstabilität von 1,2 kV High-K SiC Leistungs-MOSFETS unter rauen, wiederholten Schaltbedingungen

Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Nick Schneider, Gianpaolo Romano, Yulieth Arango, Lars Knoll

Hitachi Energy, Schweiz

Vom 31.05.2021–03.06.2021
03:00–08:50

Poster-Sitzungen – SiC-Bauelemente & -Technologie

Temperaturabhängige Hysterese der transienten Schwellenspannung in SiC-Leistungs-MOSFETs und Auswirkungen auf Kurzschlussereignisse

Elena Mengotti1, Enea Bianda1, David Baumann1, Renos Papamichalis1, Andrei Mihaila2, Stephan Wirths2

1) ABB Schweiz Ltd.; 2) Hitachi Energy Ltd., Schweiz

Vom 31.05.2021–03.06.2021
03:00–08:50

Poster-Sitzungen – SiC-Bauelemente & -Technologie

Bewertung der Stoßstrom-Fähigkeit von 6,5-kV-SiC-MOSFETs mit 3D-Zellen-Layouts

Kaloyan Naydenov2, Nazareno Donato2, Florin Udrea2, Andrei Mihaila1, Gianpaolo Romano1, Stephan Wirths1, Lars Knoll1

1) Hitachi Energy Ltd., Schweiz; 2) University of Cambridge, Vereinigtes Königreich

Vom 31.05.2021–03.06.2021
03:00–08:50

Poster-Sitzungen – SiC-Bauelemente & -Technologie

Robustes dynamisches Verhalten von 3,3 kV SiC-Leistungs-MOSFETs mit High-K-Gate-Dielektrikum

Gianpaolo Romano, Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Yulieth Arango, Antoni Ruiz, Lars Knoll

Hitachi Energy, CH

ISPSD Virtual Conference 2021