Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) und Diodenmodule mit SPT, SPT+, SPT++ und TSPT+ Chips
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste in Kombination mit sanfter Schaltleistung und einem rekordverdächtigen sicheren Betriebsbereich (SOA) aus. Die neu eingeführten schnell schaltenden 62Pak- und LoPak-IGBT-Module für mittlere Leistungen zeichnen sich durch niedrigste Schaltverluste, einen Betrieb bei 175 °C mit vollflächiger Rechteck-SOA und ein Standardgehäuse aus, das einen Drop-in-Austausch ermöglicht.
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- 1200 V
- 1700 V
- 3300 V
- 4500 V
- 6500 V
| Teilenummer | Spannung VCES (V) |
Strom IC (A) |
Typ | Paket | Plecs-Modell | Angebot |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 5SNG 0600R120500 | 1.200 | 2 x 600 | Phasenschenkel IGBT | LoPak | XML | Anfrage |
| 5SNG 0600R120590 | 1.200 | 2 x 600 | Phasenschenkel IGBT | LoPak | XML | Anfrage |
| 5SNG 0900R120500 * | 1.200 | 2 x 900 | Phasenschenkel IGBT | LoPak | Anfrage | |
| 5SNG 0900R120590 * | 1.200 | 2 x 900 | Phasenschenkel IGBT | LoPak |
XML | Anfrage |
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