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Transistor bipolaire à barrière isolée (IGBT) et matrices de diode avec puces SPT, SPT+, SPT++ et TSPT+

Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT HiPak à haute puissance offrent de faibles pertes combinées à une performance de commutation douce et une zone d’opération sûre (ZOS) record. Les nouveaux modules IGBT 62Pak et LoPak à commutation rapide moyenne puissance offrent les pertes de commutation les plus faibles, un fonctionnement complet à 175 °C avec ZOS carrée complète et un ensemble standard permettant un remplacement par insertion.
Pour télécharger et imprimer des fiches techniques en format PDF, cliquez sur les numéros de pièce. 

 

Numéro de pièce Tension
VCES(V)
Courant
IC(A)
Type Emballage  Modèle Plecs Offre
5SNG 0600R120500  1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0600R120590 1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0900R120500 * 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak   Demande
5SNG 0900R120590* 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak
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Numéro de pièce Tension
VCES (V)
Courant
IC (A)
Type Emballage  Modèle Plecs Offre
5SNG 0600R120500  1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0600R120590 1200 2 x 600 Pied de phase IGBT LoPak XML Demande
5SNG 0900R120500 * 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak   Demande
5SNG 0900R120590 * 1200 2 x 900 Pied de phase IGBT LoPak
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