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Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) und Diodenmodule mit SPT, SPT+, SPT++ und TSPT+ Chips

IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste in Kombination mit sanfter Schaltleistung und einem rekordverdächtigen sicheren Betriebsbereich (SOA) aus. Die neu eingeführten schnell schaltenden 62Pak- und LoPak-IGBT-Module für mittlere Leistungen zeichnen sich durch niedrigste Schaltverluste, einen Betrieb bei 175 °C mit vollflächiger Rechteck-SOA und ein Standardgehäuse aus, das einen Drop-in-Austausch ermöglicht.
Zum Herunterladen und Ausdrucken von Datenblättern im PDF-Format klicken Sie bitte auf die Teilenummern. 

 

Teilenummer Spannung
VCES (V)
Strom
IC (A)
Typ Paket  Plecs-Modell Angebot
5SNG 0600R120500  1.200 2 x 600 Phasenschenkel IGBT LoPak XML Anfrage
5SNG 0600R120590 1.200 2 x 600 Phasenschenkel IGBT LoPak XML Anfrage
5SNG 0900R120500 * 1.200 2 x 900 Phasenschenkel IGBT LoPak   Anfrage
5SNG 0900R120590 * 1.200 2 x 900 Phasenschenkel IGBT LoPak
XML Anfrage

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power plant engineer for substation

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