Hitachi Energy ist stolz darauf, Lars Knoll und den Co-Autoren Gianpaolo Romano und Andrei Mihaila zu gratulieren, die den PCIM Asia 2021 Best Paper Award für ihr Papier mit dem Titel 3,3 kV SiC Power MOSFETs mit High-k Gate Dielectric gewonnen haben.
Die Arbeit beschreibt, wie der Kanalbeitrag des Gesamtwiderstands von planaren 3,3-kV-MOSFETs durch Verwendung eines High-k-Gate-Dielektrikums untersucht und verbessert wurde. Sie beschreibt, wie der Kanalbeitrag unter Beibehaltung eines überlegenen bipolaren Körperdiodenbetriebs erheblich reduziert werden könnte, und veranschaulicht, wie zuverlässiger repetitiver Betrieb und robustes Verhalten bei RB und SCSOA demonstriert werden konnten.
„Ich fühle mich geehrt, diese prestigeträchtige Auszeichnung zu erhalten. Seit mehreren Jahrzehnten sind wir führend bei Innovationen in der Leistungselektronik bei Si und SiC, und dies ist ein weiterer Beweis dafür, dass wir dieses Vermächtnis fortsetzen“, sagte Lars Knoll, Leiter von R&D BiMOS SiC Chips, Halbleiter, Hitachi Energy und Hauptautor des Artikels. „Diese großartige Leistung beruht auf dem Nutzen all unserer Experten für Leistungshalbleiter, die kontinuierlich fortschrittliche Technologien mit ultimativer Zuverlässigkeit entwickeln und die Kunst der Fertigung perfektionieren.“
PCIM (kurz für Power Conversion, Intelligent Motion) Asia ist Chinas führende Ausstellung und Konferenz für Spezialisten für Leistungselektronik und ihre Anwendungen und Leistungsqualität. Die Veranstaltung bietet Forschern, Entwicklern und Experten aus Industrie und Wissenschaft die Möglichkeit, die neuesten Entwicklungen bei Leistungselektronikkomponenten und -systemen zu sehen und Visionen zu zukünftigen Leistungselektroniksystemen, -geräten und -technologien zu diskutieren und auszutauschen.
Mit seinen jährlichen Best Paper and Young Engineer Awards ehrt PCIM Asia seit über zehn Jahren herausragende Beiträge und unterstützt junge Talente in der Leistungselektronikbranche.
Der PCIM Asia Advisory Board wählte die diesjährigen Gewinnerbeiträge aus mehr als 60 Artikeln aus, die für die PCIM Asia Conference and Exhibition eingereicht wurden, die vom 9. bis 11. September 2021 in Shenzhen stattfand, wobei die Gewinner des Best Paper and Young Engineer Award am ersten Tag der Konferenz und Ausstellung geehrt wurden. Auf der diesjährigen Konferenz präsentierte Hitachi Energy, Semiconductors, vier Artikel, eine Präsentation des E-Mobility-Forums und stellte seine neuesten technologischen Durchbrüche an seinem Stand im E-Mobility-Bereich der Ausstellung vor.
SiC-Leistungs-MOSFETs mit 3,3 kV und High-k-Gate-Dielektrikum.
Die SiC-Leistungs-MOSFETs mit 3,3 kV, SiC LinPak-Modul genannt, ermöglichen einen effizienteren Stromfluss in den Elektrozügen und Straßenbahnen. Diese Geräte bringen Menschen zur Arbeit. Die Ermöglichung eines zuverlässigen und verbesserten Effizienzbetriebs von Mittelspannungsantrieben in Elektromotoren wird den Energieverbrauch eines der weltweit größten elektrischen Systeme reduzieren und somit die Energieeinsparung weltweit erheblich beeinträchtigen.
SiC ist ein Breitband-Halbleiter mit wichtigen Eigenschaften, der ihn für Anwendungen in der Leistungselektronik äußerst attraktiv macht. Durch die erhöhte elektrische Feldstärke, die höhere Temperaturfähigkeit und die bessere Wärmeleitfähigkeit weisen die SiC-MOSFETs viel höhere Leistungsdichten auf als ihre Si-Pendants (Silizium). Da die Geräte nun effizienter sind, sind darüber hinaus Hochspannungs-MOSFETs (d. h. 3,3 kV und höher) möglich. Diese Verbesserungen bedeuten, dass die Effizienz des Energieumwandlungssystems verbessert wird, eine geringere Stellfläche erreicht wird und die Kühlanforderungen viel geringer sind. Das neue SiC LinPak ermöglicht eine erhöhte Schaltfrequenz und reduziert so den Filterbedarf erheblich. Dadurch wird die Ausgangswellenkurve viel glatter und der vom Antrieb gedrehte Motor geschützt.
