Conférence virtuelle complète de Nagoya
Le 33e Symposium international sur les dispositifs à semi-conducteurs électriques et les CI (ISPSD) aura lieu entre le 30 mai et le 3 juin 2021 sous forme de CONFÉRENCE ENTIÈREMENT VIRTUELLE.
L’ISPSD comprend des discussions techniques sur les dispositifs à semi-conducteurs d’alimentation et les circuits intégrés, leurs technologies hybrides et leurs applications.
Contributions d’Hitachi Énergie
Date/heure (HEC) |
Flux |
Papier |
Auteur/s |
Mercredi 02/06/2021 |
Séance 6 : Robustesse et fiabilité de l’appareil SiC |
Étude sur le seuil de stabilité de la tension des MOSFETS de puissance SiC à haute tension de 1,2 kV dans des conditions de commutation répétitive difficiles |
Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Nick Schneider, Gianpaolo Romano, Yulieth Arango, Lars Knoll Hitachi Énergie, Switzerland |
Du 31/05/2021 au 03/06/2021 |
Séances d’affichage - Dispositifs et technologie SiC |
Hystérésis de la tension de seuil transitoire dépendante de la température dans l’alimentation SiC des MOSFET et implications pour les événements de court-circuit |
Elena Mengotti1, Enea Bianda1, David Baumann1, Renos Papamichalis1, Andrei Mihaila2, Stephan Wirths2 1) ABB Switzerland Ltd.; 2) Hitachi Énergie Ltd., Switzerland |
Du 31/05/2021 au 03/06/2021 |
Séances d’affichage - Dispositifs et technologie SiC |
Évaluation de la capacité de courant de surtension des MOSFET SiC de 6,5 kV avec dispositions de cellules 3D |
Kaloyan Naydenov2, Nazareno Donato2, Florin Udrea2, Andrei Mihaila1, Gianpaolo Romano1, Stephan Wirths1, Lars Knoll1 1) Hitachi Énergie Ltd., Switzerland; 2) Université de Cambridge, Royaume-Uni |
Du 31/05/2021 au 03/06/2021 |
Séances d’affichage - Dispositifs et technologie SiC |
Comportement dynamique robuste des MOSFET SiC Power de 3,3 kV avec diélectrique de gâchette High-K |
Gianpaolo Romano, Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Yulieth Arango, Antoni Ruiz, Lars Knoll Hitachi Énergie, CH |