Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) e módulos de diodo com chips SPT, SPT+, SPT++ e TSPT+
Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT de alta potência apresentam baixas perdas combinadas com desempenho de comutação suave e Área Operacional Segura (SOA) recorde. Os recém-introduzidos módulos IGBT de média potência de comutação rápida 62Pak e LoPak apresentam perdas de comutação mais baixas, operação completa a 175 °C com SOA quadrado completo e pacote padrão que permite substituição imediata.
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- 1200 V
- 1700 V
- 2300 V
- 3300 V
- 4500 V
- 6500 V
| Número da peça | Tensão VCES (V) |
Atual IC (A) |
Tipo | Pacote | Oferta |
|---|---|---|---|---|---|
| 5SNG 0600R120501 | 1200 | 2 x 600 | IGBT fásico na perna | LoPak | Solicitação |
| 5SNG 0600R120591 | 1200 | 2 x 600 | IGBT fásico na perna | LoPak | Solicitação |
| 5SNG 0900R120501 | 1200 | 2 x 900 | IGBT fásico na perna | LoPak | Solicitação |
| 5SNG 0900R120591 | 1200 | 2 x 900 | IGBT fásico na perna | LoPak |