Introdução ao SEMIS 2.0
A Hitachi Energy Ltd atualizou a conhecida plataforma de simulação térmica SEMIS com recursos significativamente estendidos.
Os recursos do SEMIS 2.0 estão simplificando o processo de avaliação do produto, desde a filtragem por meio de comparação de parâmetros até perdas térmicas e análise dinâmica. A seção a seguir contém uma introdução e informações do usuário para permitir um início fácil na avaliação eficiente do produto. Veja o gráfico abaixo.
Seletor de produtos
Filtrar produtos com base nos principais parâmetros para selecionar apenas os produtos mais relevantes. A exibição da tabela indica informações relevantes e permite a pré-seleção rápida dos produtos desejados para comparação e simulação posteriores. Adicione os produtos desejados à lista preferencial para investigações adicionais com “+”.
iDatasheet
A comparação direta de dados é realizada na folha de dados digital. Os produtos pré-selecionados são comparados de maneira rápida e simultânea em nível de parâmetro. Análise gráfica de vetores de perda de potência ou função de transferência indicam soluções preferidas para sua aplicação. Configurações personalizáveis de ponto de operação tornam os produtos comparáveis em mais detalhes com variações de temperatura de junção, gate e tensão de comutação.
SEMIS Térmico
A análise detalhada da perda térmica revela soluções ideais baseadas em parametrização personalizável com mais de 40 topologias possíveis. Os resultados são indicados numérica e graficamente para identificar as condições ideais. A varredura de parâmetros permite que várias simulações sejam analisadas para otimizar ainda mais as configurações. Selecione entre várias estratégias de controle, ajuste de resistência de gate, configurações de tempo morto e resfriamento totalmente personalizável para gerar simulações de acordo com suas demandas específicas. O relatório abrangente indica dados de perdas e temperatura para cada dispositivo no circuito de alimentação, permitindo a otimização das configurações de controle e seleção de produto para a combinação ideal de ambos. Os resultados de várias simulações são comparados graficamente para indicar soluções preferenciais instantaneamente.
SEMIS dinâmico
Um comportamento de comutação transiente do dispositivo é simulado para revelar influências nas perdas e tempos de comutação. As configurações personalizáveis do ponto de operação permitem a otimização do controle da unidade de gate e da tensão de overshoot para melhorar a eficiência geral de acordo com seus requisitos e capacidades do produto. A simulação estima dados de temporização e perda de chaveamento específicos do ponto de operação para mais controle de gate e otimizações de excesso de tensão.
