Conferencia completamente virtual de Nagoya

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Miércoles 02/06/2021
de 05:35 a 06:00 h

Sesión 6: Resistencia y fiabilidad de dispositivos de carburo de silicio (SiC)

Estudio de estabilidad con voltaje límite de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) con alto k de 1.2 kV en condiciones extremas de conmutación repetitiva

Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Nick Schneider, Gianpaolo Romano, Yulieth Arango, Lars Knoll

Hitachi Energy, Suiza

Del 31/05/2021 al 03/06/2021
de 03:00 a 08:50 h

Sesión de pósteres académicos: Tecnología y dispositivos de carburo de silicio (SiC)

Histéresis de voltaje límite transitorio dependiente de temperatura en transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) e implicancias para eventos de cortocircuito

Elena Mengotti¹, Enea Bianda¹, David Baumann¹, Renos Papamichalis¹, Andrei Mihaila², Stephan Wirths²

1) ABB Switzerland Ltd.; 2) Hitachi Energy Ltd., Suiza

Del 31/05/2021 al 03/06/2021
de 03:00 a 08:50 h

Sesión de pósteres académicos: Tecnología y dispositivos de carburo de silicio (SiC)

Evaluación de capacidad de sobrecorriente de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) de 6.5 kV con diseños de celdas 3D

Kaloyan Naydenov², Nazareno Donato², Florin Udrea², Andrei Mihaila¹, Gianpaolo Romano¹, Stephan Wirths¹, Lars Knoll¹

1) Hitachi Energy Ltd., Suiza; 2) Universidad de Cambridge, Reino Unido

Del 31/05/2021 al 03/06/2021
de 03:00 a 08:50 h

Sesión de pósteres académicos: Tecnología y dispositivos de carburo de silicio (SiC)

Comportamiento dinámico resistente de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) de 3.3 kV con dieléctrico de puerta de alto k

Gianpaolo Romano, Stephan Wirths, Andrei Mihaila, Yulieth Arango, Antoni Ruiz, Lars Knoll

Hitachi Energy, CH