Sistemi di prova per semiconduttori ad alta potenza
Hitachi Energy offre sistemi di prova per vari ambienti come ricerca e sviluppo, laboratorio, produzione o analisi dei guasti. Garantiamo il massimo livello di qualità, la sicurezza nel manipolare i prodotti e la possibilità di ricevere assistenza a distanza o in loco.
Sistemi di prova dei semiconduttori ad alta potenza
Hitachi Energy offre sistemi di prova di produzione statici e dinamici per la maggior parte dei tipi di dispositivi con semiconduttori di potenza. Possono gestire matrici, substrati, sottomoduli, moduli, wafer e dispositivi press-pack. Sono disponibili anche dei sistemi per testare l’affidabilità in caso di inversione della polarizzazione ad alta temperatura, di funzionamento intermittente o di sovracorrente. Le parti ausiliarie del tester comprendono unità di serraggio, scaricamento dei condensatori, preriscaldamento, acquisizione dati ed estrazione dei parametri, nonché unità programmabili per gate IGBT e tiristori.
Parametri
I sistemi di prova Hitachi Energy coprono un intervallo fino a 14 kV e 10 kA e sfruttano una bassa induttanza di dispersione regolabile. Durante i test il dispositivo in fase di prova (DUT) può essere riscaldato con precisione fino a 185 °C per i sistemi di produzione o raffreddato fino a -40 °C in una camera ambientale per i sistemi di progettazione. Le unità di serraggio possono gestire dispositivi fino a 240 mm di diametro e applicare una forza di serraggio fino a 240 kN.
Automazione
I nostri sistemi di prova sono progettati per integrarsi con facilità alle apparecchiature di movimentazione automatica. Il software del sistema di prova è compatibile con i sistemi di controllo in commercio, come i sistemi di esecuzione della produzione (MES) e la garanzia di qualità assistita da computer (CAQ).
- Sistemi di prova BiPolar
- Sistemi di prova per IGBT e MOSFET SiC
| Tiristore e diodo statico/dinamico | GTO e diodo statico | GTO e diodo dinamico | |
Tensione di blocco in CA o CC |
X | X | X |
|---|---|---|---|
| Caratteristiche del gate | X | X | |
| Stato On, tensione diretta |
X | X | |
| Carica di recupero inverso | X | X | |
| Valore dV/dt critico | X | ||
| Tempo di spegnimento comandato da circuito | X | ||
| Accensione/spegnimento | X | X |
Sistemi per testare l’affidabilità
- Polarizzazione inversa ad alta temperatura
- Durata operativa intermittente / Ciclo di alimentazione
- Corrente di picco
- Tester di frequenza
Unità ausiliaria
- Unità di serraggio
- Unità di scaricamento condensatore
- Unità di preriscaldamento
- Unità gate IGBT e a tiristori programmabili
- Unità di acquisizione dati ed estrazione parametri
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