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2021 年 6 月 2 日星期三
05:35-06:00

第 6 场：SiC 器件的耐用性和可靠性

1.2 千伏高介电碳化硅功率 MOSFET 在恶劣重复开关条件下的阈值电压稳定性研究

Stephan Wirths、Andrei Mihaila、Nick Schneider、Gianpaolo Romano、Yulieth Arango、Lars Knoll

瑞士日立能源

2021 年 5 月 31 日 – 2021 年 6 月 3 日
03:00~08:50

海报展示 - SiC 设备与技术

SiC 功率 MOSFET 中的温度相关瞬态阈值电压滞后和短路事件的影响

Elena Mengotti¹、Enea Bianda¹、David Baumann¹、Renos Papamichalis¹、Andrei Mihaila²、Stephan Wirths²

1）ABB 瑞士有限公司； 2） 瑞士日立能源有限公司

2021 年 5 月 31 日 – 2021 年 6 月 3 日
03:00~08:50

海报展示 - SiC 设备与技术

具有 3D 单元布局的 6.5 千伏碳化硅 MOSFET 的浪涌电流能力评估

Kaloyan Naydenov²、Nazareno Donato²、Florin Udrea²、Andrei Mihaila¹、Gianpaolo Romano¹、Stephan Wirths¹、Lars Knoll¹

1) 瑞士日立能源有限公司；2) 英国剑桥大学

2021 年 5 月 31 日 – 2021 年 6 月 3 日
03:00~08:50

海报展示 - SiC 设备与技术

具有高介电栅极介电的 3.3 千伏碳化硅功率 MOSFET 的坚固动态行为

Gianpaolo Romano、Stephan Wirths、Andrei Mihaila、Yulieth Arango、Antoni Ruiz、Lars Knoll

瑞士日立能源