名古屋フルバーチャル会議

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水曜日 2021年6月2日
05:35～06:00

セッション6：SiCデバイスの堅牢性と信頼性

過酷な反復スイッチング条件下における1.2kV高K SiCパワーMOSFETSの閾値電圧安定性試験

Stephan Wirths、Andrei Mihaila、Nick Schneider、Gianpaolo Romano、Yulieth Arango、Lars Knoll

日立エナジー、スイス

2021年5月31日～6月3日
03:00～08:50

ポスターセッション - SiCデバイス＆テクノロジー

SiC電源MOSFETの温度依存過渡閾値電圧ヒステリシスおよび短絡イベントの影響

エレナ・メンゴッティ（Elena Mengotti）¹、エネア・ビアンダ（Enea Bianda）¹、デイヴィッド・バウマン（David Baumann）¹、レノス・パパミチャリス（Renos Papamichalis）¹、アンドレイ・ミハイラ（Andrei Mihaila）²、ステファン・ヴィルトス（Stephan Wirths）²

1）ABBスイス株式会社 2）日立エナジー株式会社、スイス

2021年5月31日～6月3日
03:00～08:50

ポスターセッション - SiCデバイス＆テクノロジー

3Dセルレイアウトの6.5kV SiC MOSFETのサージ電流機能評価

カロヤン・ナイデノフ（Kaloyan Naydenov）²、ナザレノ・ドナート（Nazareno Donato）²、フローリン・ウドレア（Florin Udrea）²、アンドレイ・ミハイラ（Andrei Mihaila）¹、ジャンパオロ・ロマーノ（Gianpaolo Romano）¹、ステファン・ヴィルトス（Stephan Wirths）¹、ラース・クノール（Lars Knoll）¹

1）日立エナジー株式会社、スイス、2）英国ケンブリッジ大学

2021年5月31日～6月3日
03:00～08:50

ポスターセッション - SiCデバイス＆テクノロジー

High-Kゲート誘電体を使用した3.3kV SiCパワーMOSFETの堅牢なダイナミック動作

ジャンパオロ・ロマーノ（Gianpaolo Romano）、ステファン・ヴィルトス（Stephan Wirths）、アンドレイ・ミハイラ（Andrei Mihaila）、ユリエス・アランゴ（Yulieth Arango）、アントニ・ルイス（Antoni Ruiz）、ラース・クノール（Lars Knoll）

日立エナジー、CH